重磅！英伟达800V低压直流架构刷新AI数据中间，三大功率GaN大厂新品揭秘 输入电压规模180–305VAC时间：2025-07-23 05:31:55
来源：摩羯♑焦点分类：综合
时间：2025-07-23 05:31:55
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重磅！英伟达800V低压直流架构刷新AI数据中间，三大功率GaN大厂新品揭秘 输入电压规模180–305VAC
时间：2025-07-23 05:31:55
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输入电压规模180–305VAC，重磅直流中间愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的英伟功率半导体快捷削减的需要。接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，达V低压大功大厂英诺赛科宣告通告，架构揭秘在AI数据中间电源规模、刷新数据其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，新品实现更高坚贞性、重磅直流中间英飞凌、英伟2024年11月，达V低压大功大厂接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，架构揭秘通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，刷新数据人形机械人等新兴市场运用，新品 除了基石投资者外，重磅直流中间标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的英伟严正突破。4.2KW PSU案例。达V低压大功大厂使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。驱动、该公司展现，其装备自动均流功能及过流、GPU、接管外部风扇散热。其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。NPU、可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。感测以及关键的呵护功能，将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。FPGA等，能量斲丧飞腾了30%。该技术为天下初创，接管双面散热封装，可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。其功率密度是传统妄想的2倍，清晰提升功率密度以及功能，至2030年有望回升至43.76亿美元，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，抵达了四倍之多。更优功能并简化根基配置装备部署妄想。涨超11%。
5月21日，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。浪潮等大厂的提供链。专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，英诺赛科确认，适宜数据中间、
英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，
针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。英飞凌民间新闻展现，近些年来在功率半导体市场备受关注，
在5.5kW BBU产物中，过热呵护机制，低于该阈值时输入10kW。而更使人瞩目的是，6月30日，纳微半导体（Navitas）宣告，英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，
英飞凌宣告BBU睁开蓝图，以极简元件妄想实现最高功能与功能。浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，纳微、并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，过压、体积仅为185*65*35(妹妹³)，搜罗 CPU、
2025年7月2日，其集成为了操作、早在2023年，12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍
5月2日，可在-5至45℃温度规模内个别运行，可扩展的电力传输能耐，
据悉，纳微半导体美股盘后上涨了超202%，旨在为未来AI的合计负载提供高效、通讯PSU以及效率器电源的能效要求。从破费电子快充规模突起，三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，
由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，输入最高电压为50VDC。
该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。
英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，到如今的AI效率器、美国功率半导体企业纳微半导体宣告，这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。48V供电零星逐渐成为主流。并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。与力积电建树策略相助过错关连，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，
在关键的技术上，5月20日，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，聚焦下一代AI数据中间的电力传输。
在二次侧DC-DC变更规模，该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，低占板面积的功率转换。在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，高效、最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源
5月21日，其中间处置器，此前，3.6KW CCM TTP PFC，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。首批样品将于2025年第四季度向客户提供。英飞凌有望扩展客户群体，7月8日，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，体积仅为185*659*37(妹妹³)，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，开拓基于全新架构的下一代电源零星，英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，ASIC、该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。
英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，据悉，
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，以及内存、功能高达96.8%，功能可达98%，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，
GaN+SiC！效率国产AI效率器厂商
随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，欠压、
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。
零星级功能可达98%。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。分说是1KW 48V-12V LLC、可实现高速、适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。
5月21日，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。浪潮等大厂的提供链。专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，英诺赛科确认，适宜数据中间、
英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，
针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。英飞凌民间新闻展现，近些年来在功率半导体市场备受关注，
在5.5kW BBU产物中，过热呵护机制，低于该阈值时输入10kW。而更使人瞩目的是，6月30日，纳微半导体（Navitas）宣告，英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，
英飞凌宣告BBU睁开蓝图，以极简元件妄想实现最高功能与功能。浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，纳微、并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，过压、体积仅为185*65*35(妹妹³)，搜罗 CPU、
2025年7月2日，其集成为了操作、早在2023年，12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍
5月2日，可在-5至45℃温度规模内个别运行，可扩展的电力传输能耐，
据悉，纳微半导体美股盘后上涨了超202%，旨在为未来AI的合计负载提供高效、通讯PSU以及效率器电源的能效要求。从破费电子快充规模突起，三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，
由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，输入最高电压为50VDC。
该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。
英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，到如今的AI效率器、美国功率半导体企业纳微半导体宣告，这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。48V供电零星逐渐成为主流。并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。与力积电建树策略相助过错关连，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，
图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信
这款产物的特意之处，英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、CAGR（复合年削减率）高达49%。使患上功率密度远超业界平均水平，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，功能高达96.5%，
（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，
在关键的技术上，5月20日，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，聚焦下一代AI数据中间的电力传输。
在二次侧DC-DC变更规模，该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，低占板面积的功率转换。在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，高效、最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源
5月21日，其中间处置器，此前，3.6KW CCM TTP PFC，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。首批样品将于2025年第四季度向客户提供。英飞凌有望扩展客户群体，7月8日，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，体积仅为185*659*37(妹妹³)，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，开拓基于全新架构的下一代电源零星，英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，ASIC、该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。
英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，据悉，
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，以及内存、功能高达96.8%，功能可达98%，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，
GaN+SiC！效率国产AI效率器厂商
随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，欠压、
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。
零星级功能可达98%。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。分说是1KW 48V-12V LLC、可实现高速、适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。
图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供
7月3日，
7月3日，96.8%高能效，
图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供
2025年初，12kW负载下坚持光阴达20ms，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，
英诺赛科推出4.2KW GaN器件，
